無刷直流風扇是一種沒有機械換向器和電刷的直流電動機，它采用電子換向裝置，從而克服了一般直流電機存在的有換向火花、可靠性差、噪聲大、對無線電干擾等弱點。它既有一般直流電動機的機械特性和調(diào)節(jié)性，又具有調(diào)速范圍寬、體積小、啟動迅速、運行可靠、效率高、壽命長等優(yōu)點。目前廣泛應(yīng)用于小家電風扇行業(yè)，一般功率小于100W。拓撲結(jié)構(gòu)有P+N，N+N，3 Phase。

NCE的優(yōu)勢：

      更小的封裝尺寸：針對有刷無刷直流電機的雙芯片N+N或者N+P的雙芯封裝芯片。

      更大的電流能力：運用CLIP和貼片式封裝使芯片的散熱能力更強。

      更好的可靠性：更強的雪崩能力和抗沖擊能力。

Complementary MOSFET：V_DS=12V-60V   P+N雙芯

Dual N and P-channel MOFET：V_DS=18V-60V   N+N雙芯

IC：柵極驅(qū)動 IC

   智能掃地機器人是現(xiàn)代家庭環(huán)境設(shè)計的新型地板、地毯清潔用具，使用可充電電池作為電源，集打掃、吸塵功能于一身。掃地機器人的基本架構(gòu)通常包括中央處理器、電源/電池管理單元、電池充電器、無線通信模塊、人機界面、傳感器及驅(qū)動模塊（有刷和無刷電機）。隨著市場及應(yīng)用要求進一步提升，馬達驅(qū)動及鋰電管理也向高功率密度，體積小型化，連續(xù)工作時間長的方向發(fā)展，首先要求功率器件可靠且高效節(jié)能，其次全新的封裝外形以實現(xiàn)體積更小的設(shè)計也非常重要。

  新潔能Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品，能實現(xiàn)高頻開關(guān)（低R_g），低傳導損耗（最優(yōu)的R_DSon性能）、低開關(guān)損耗（優(yōu)良的開關(guān)特性），配合先進的封裝技術(shù)，提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時確保在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機控制。

AC/DC充電器 MOS：

SJ-III MOSFET：V_DS=650V-700V       R_{on@10V（max）}=900mΩ-2400mΩ  

同步整流MOS：

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET：V_DS=100V-150V    R_{on@10V（max）}＜10mΩ

步進電機：

Complementary MOSFET：V_DS=12V-30V    P+N雙芯

Dual N and P-channel MOSFET：V_DS=18V-30V    N+N雙芯

IC：柵極驅(qū)動 IC

吸塵電機：

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET：V_DS=30V    R_{on@10V（max）}=2.3mΩ-7.1mΩ  

柵極驅(qū)動IC：三相橋驅(qū)動

鋰電池充放電MOS：

N-channel Trench MOSFET：V_DS=30V      R_{on@10V（max）}<11mΩ

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET：V_DS=30V    R_{on@10V（max）}<10mΩ

   隨著市場趨勢走向快速烹飪成為新的亮點，快速烹飪要求更高功率高效率的電磁爐，這也意味著元器件必須在更苛刻的條件下工作。加熱更快，更均勻和更高能效使感應(yīng)烹飪成為一個日益增長的消費趨勢。但設(shè)計一個感應(yīng)烹飪系統(tǒng)并非沒有挑戰(zhàn)。設(shè)計人員經(jīng)常面臨電網(wǎng)擾動引起的現(xiàn)場高故障率問題，爐灶的更換和維修成本非常高。另一方面，市場的競爭性增加了成本壓力并限制保護功能的應(yīng)用。

   新潔能Trench FS II IGBT系列產(chǎn)品具有飽和壓降低，開關(guān)損耗小，功率密度高，開關(guān)震蕩小，參數(shù)一致性高等特點，為你提供更具性價比的產(chǎn)品。

1200V-1350V IGBT：V_CE=1350V, I_D=15A/25A/40A 

       破壁機與傳統(tǒng)榨汁機相比，具有超高轉(zhuǎn)速瞬間擊破果蔬等食材的細胞壁，更有效提取食材營養(yǎng)，且口感細膩。在功能上，破壁機集合了榨汁機、豆?jié){機、料理機、研磨器、以及和面機等功能，大大提升了產(chǎn)品的適用范圍，是現(xiàn)代居家保健、養(yǎng)生首選的神器。目前高端破壁機多采用PMSM電機控制，具有更小的體積、更高的轉(zhuǎn)速、更低的工作噪音、更強勁的破壁能力、更寬的調(diào)速范圍。
       新潔能為您提供了豐富廣泛的產(chǎn)品組合，包括650V/700V的 Super Junction MOSFET III系列產(chǎn)品、新一代Trench FS II IGBT系列產(chǎn)品，在降低器件功耗，提升系統(tǒng)效率的同時，兼具了更好的魯棒性。

開關(guān)電源：

SJ-III MOSFET：V_DS=650V-700V    R_{on@10V（max）}=360mΩ-1100mΩ  

馬達驅(qū)動：

600V-650V IGBT：I_D=7A-40A

       近年來，抽油煙機的變頻技術(shù)逐漸成熟，相比于普通交流電機煙機，直流電機煙機最大差異化就是直流電機煙機更節(jié)能、更高效、噪聲低，直流變頻電機煙機的全壓效率32%遠遠高于國家標準25%，同比節(jié)能30%以上。另外由于中式廚房的環(huán)境問題，對油煙機的電機性能也提出了新的考驗，傳統(tǒng)定頻電機定子和轉(zhuǎn)子之間形成油垢，電機就會造成發(fā)熱等情況，大大減小了使用壽命，直流變頻電機煙機具有更好的密封性。在變頻控制器的作用下，能夠確保煙機各項電壓、電流參數(shù)更精確，從而延長煙機綜合使用壽命。

       新潔能應(yīng)對市場發(fā)展，推出新一代Trench FS II IGBT系列產(chǎn)品，具有飽和壓降低，開關(guān)損耗小，功率密度高，開關(guān)震蕩小，參數(shù)一致性高等特點，令系統(tǒng)穩(wěn)定平穩(wěn)運行的同時抑制振動，帶來較少的噪音。

輔助電源部份MOS：

SJ-III MOSFET：V_DS=650V-700V     R_{on@10V（max）}=360mΩ-1100mΩ      

風機驅(qū)動IGBT:

V_CE=600V-1200V  I_D=7A-40A

PIM：1200V 200A以內(nèi)

       空氣凈化器主要由馬達、風扇、空氣過濾網(wǎng)等系統(tǒng)組成，其工作原理為：機器內(nèi)的馬達和風扇使室內(nèi)空氣循環(huán)流動，污染的空氣通過機內(nèi)的空氣過濾網(wǎng)后將污染物清除或吸附，將空氣不斷電離，產(chǎn)生大量負離子，被微風扇送出，形成負離子氣流，達到清潔、凈化空氣的目的。隨著人們生活水平的提高，越發(fā)認識到清潔空氣對于身體健康的重要性。為了改善日益嚴重的空氣環(huán)境，空氣凈化類產(chǎn)品成為家電賣場中熱門的產(chǎn)品品類，其中空氣凈化器作為改善室內(nèi)空氣環(huán)境有效工具而受到用戶的青睞。

       新潔能針對空氣凈化器也推出了P+N雙芯系列MOS，以滿足和應(yīng)對市場的發(fā)展及變化。

開關(guān)電源部分：

高壓MOS：

SJ-III MOSFET：V_DS=650V-700V   R_{on@10V（max）}=360mΩ-1100mΩ  

同步整流MOS：

SGT-II MOSFET & SGT-I MOSFET：V_DS=100V-150V     R_{on@10V（max）}＜10mΩ

電機部份

Complementary MOSFET：V_DS=30V-40V  P+N雙芯

IC：柵極驅(qū)動 IC

   吸塵器是現(xiàn)代家庭比較常見的集打掃、吸塵功能于一身的清潔工具。吸塵器的動力部分主要有吸塵器電機和無刷電機控制器。吸塵器的風機葉輪在電動機高速驅(qū)動下，將葉輪中的空氣快速排除風機，同時使吸塵部分空氣不斷地補充進風機，配合掃塵刷將粉塵臟污吸入腔體。便攜式吸塵器的功率一般為250W以下。

  新潔能Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品，能實現(xiàn)高頻開關(guān)（低R_g），低傳導損耗（最優(yōu)的R_DSon性能）、低開關(guān)損耗（優(yōu)良的開關(guān)特性），配合先進的封裝技術(shù)，提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時確保在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機控制。

AC/DC充電器 MOS：

SJ-III MOSFET：V_DS=650V-700V   R_{on@10V（max）}=140mΩ-680mΩ 

同步整流MOS：

SGT-II MOSFET & SGT-I MOSFET：V_DS=100V-150V   R_{on@10V（max）}＜10mΩ

電機：

SGT-II MOSFET & SGT-I MOSFET：V_DS=40V    R_{on@10V（max）}=1mΩ-6.6mΩ   DFN5*6

SGT-II MOSFET & SGT-I MOSFET：V_DS=60V     R_{on@10V（max）}=3.1mΩ-7.5mΩ  DFN5*6

鋰電池充放電：

SGT-II MOSFET & SGT-I MOSFET & N-channel Trench MOSFET：

V_DS=40V    R_{on@10V（max）}=1mΩ-6.6mΩ    DFN5*6

V_DS=60V    R_{on@10V（max）}=3.1mΩ-7.5mΩ   DFN5*6

地板刷：       

Complementary MOSFET：V_DS=12V-30V    P+N雙芯

Dual N and P-channel MOSFET：V_DS=18V-30V   N+N雙芯

IC：柵極驅(qū)動 IC