新潔能正在陸續(xù)推出第三代屏蔽柵溝槽型功率MOSFET，相比于上一代產(chǎn)品，第三代產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻降低20%以上，ESD能力、大電流關(guān)斷能力、短路能力提升10%以上，同時具有更優(yōu)的EMI特性，可以滿足客戶更高能效、更高可靠性的需求，產(chǎn)品性能及競爭力進(jìn)一步提升。

配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，Super Trench技術(shù)致力于提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時確保在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊耐量，實現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機(jī)控制。