新潔能提供擊穿電壓等級范圍為-30V至-100V的P溝道SGT-I系列功率MOSFET產(chǎn)品。P溝道增強型功率MOSFET在降低系統(tǒng)設(shè)計復(fù)雜度上擁有天然的優(yōu)勢，獨特的柵極負壓開啟機制，使得P溝道功率MOSFET成為高端開關(guān)的理想選擇。P溝道功率MOSFET產(chǎn)品的選用可以簡化柵極驅(qū)動，往往可以降低系統(tǒng)的總成本，為設(shè)計人員提供了一種新的選擇。此外，P溝道功率MOSFET產(chǎn)品利用空穴作為載流子進行導(dǎo)電，其遷移率低于N溝道功率MOSFET中的載流子電子，同等情況下，P溝道功率MOSFET產(chǎn)品導(dǎo)電性能弱于N溝道功率MOSFET產(chǎn)品。

新潔能基于SGT-I技術(shù)的-30~-100V P溝道功率產(chǎn)品提供超低的導(dǎo)通電阻（R_DS(on)），為設(shè)計人員在簡化系統(tǒng)復(fù)雜度、降低系統(tǒng)總成本的前提下，進一步提高系統(tǒng)效率與性能。廣泛應(yīng)用于電池保護、負載開關(guān)、電機控制及低壓驅(qū)動等應(yīng)用中。

P溝道SGT-I系列功率MOSFET封裝范圍包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多種封裝形式，為設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)提供解決方案。

注："SGT MOSFET"又稱“Super Trench MOSFET”。